半导体及元件板块震荡拉升

主力资金流出前十大板块分别为：半导体（-14.56亿元）、通信设备（-8.86亿元）、互联网服务（-8.57亿元）、电力行业（-7.31亿元）、软件开发（-6.88亿元）、航运港口（-6.57亿元）、包装材料（-5.68亿元）、电子元件（-5.01亿...

主力板块资金流出前10：半导体流出14.40亿元、互联网服务流出10.47亿元,金股,半导体,互联网,电子元件

南亚科技申请具有位元线结构和电容器接触之间的气隙的半导体元件专利，提供一种半导体元件,专利,元件,气隙,基板,半导体,电容器,南亚科技

专利摘要显示，本公开提供一种切割结构、包含该切割结构的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该切割结构包括二主要切割绝缘层，位于一次要切割绝缘层的两端并向上延伸，其中，该二主要切割绝缘层和该次要切割绝缘层共同构成...

本文源自:金融界金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“在半导体元件上形成超低介电常.

本周半导体细分板块涨跌幅分别为：品牌消费电子（+1.95%）、消费电子零部件及组装（+1.01%）、半导体设备（-1.99%）、面板（+0.91%）、被动元件（-0.75%）、LED（-0.61%）、数字芯片设计（-2.05%）、模拟芯片设计（-1.36%）、...

专利摘要显示，本公开涉及一种包含层间介电质层的半导体元件及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1、在设置有多个栅极的所述半导体元件上，通过HARP工艺形成第一层间介电质层；所述第一层间介电质层填充所述多个栅极之间的间隔...

专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一栅极电极，设置在该基底上；一第一金属接触件，设置在该栅极电极中；一第一间隙子，设置在该栅极电极的一侧壁上；一沟槽电容器，...

南亚科技申请包括多个间隙子的半导体元件及其制备方法专利，能提供一种含多个间隙子的半导体元件及制备方法,栅极,金属,间隙子,南亚科技,半导体元件

专利摘要显示，提供一种半导体元件的制备方法，包括形成隔离层在基底中以界定预切割区域，形成下图案层在基底上，以及形成中间图案图层在下图案图层上；使用主要遮罩层图案化下图案层和中间图案层，形成第一下图案层及第一中间...