存储器的制作

专利摘要显示，本公开实施例公开了一种存储器器件及其制作方法，所述存储器器件包括：包括第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：沿第一方向延伸的半导体柱，所述半导体柱在所述第一方向上具有相对设置的第一端以及第二端；...

多个支撑结构沿第二方向间隔设置且贯穿多条位线，相邻两个接触结构之间具有至少一个支撑结构，以对多条位线进行支撑，使得相邻两条位线保持间隔，避免位线坍塌而接触，提高存储器制作过程的稳定性，保证存储器的性能，提高存储...

专利摘要显示，本申请提供一种存储阵列及其制作方法、存储装置、电子设备，涉及存储技术领域。该存储阵列包括：衬底以及设置在衬底上的多个第一信号线、多个第二信号线，以及在衬底上垂直堆叠设置的多层存储单元。其中，第一...

专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体存储器件及其制作方法。该器件包括：衬底；多个堆叠结构，位于衬底上，并在垂直方向上彼此隔离，堆叠结构包括半导体层，半导体层包括第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区；位线，沿水平...

专利摘要显示，本发明实施例提供了一种导电桥存储器及其制作方法。该导电桥存储器包括：衬底层，设于所述衬底层上方的第...因此，可以解决相关技术中需要一种导电细丝可控的导电桥存储器的问题，达到提升导电桥存储器性能的效果。...

金融界2025年5月9日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“存储器及其制作方法、存储器系统、电子设备”的专利，公开号CN119943104A，申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本公开实施例公开了...

金融界2025年5月9日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构及其制作方法、存储器”的专利，授权公告号CN115843179B，申请日期为2021年9月。天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立...

专利摘要显示，本公开实施例公开了一种封装体结构、封装体系统及其制作方法以及存储器系统，所述封装体结构包括：第一封装基板，具有相对设置的第一表面和第二表面；所述第一封装基板包括第一转角；半导体器件，位于所述第一...

该存储器的制备方法只需简单的掺杂浓度控制即可完成，可与CMOS图像传感器的制作兼容，可降低工艺制作难度。天眼查资料显示，格科微电子（上海）有限公司，成立于2003年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备...

金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司申请一项名为“一种仿真激励的生成方法、装置、电子设备及存储介质”的专利，公开号CN120068752A，...制作钻头日本短剑，主打仿真！...