海力士和台积电签署谅解备忘录

SK海力士和台积电双方于今年4月签署了合作谅解备忘录，宣布将就HBM内存的基础裸片加强合作。而台积电在2024年技术研讨会欧洲场上表示，该企业准备了两款HBM4内存基础裸片，分别为面向价格敏感性产品的N12FFC+版和面向高性能...

2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方近期签署了谅解备忘录（MOU）。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品...

当地时间周五，SK海力士与 台积电 发布公告，宣布 两家公司就整合HBM和逻辑层先进封装技术签订谅解备忘录。双方将 合作开发第六代HBM产品（HBM4），预计在2026年投产。（来源：SK海力士） 背景：什么是 高带宽内存 众所周知，...

（全球TMT2024年4月19日讯）SK海力士公司(SK hynix Inc.)宣布，近日与台积电(TSMC)签署了一份谅解备忘录，合作生产下一代HBM，并通过先进的封装技术增强逻辑和HBM的集成度。该公司计划通过这一计划继续开发HBM4，即HBM系列的第...

4 月 19 日消息，SK 海力士宣布和台积电签署谅解备忘录（MOU），推进 HBM4 研发和下一代封装技术，目标在 2026 年投产 HBM4。根据双方签署的谅解备忘录，两家公司初期目标是改善 HBM 封装内最底层基础裸片（Base Die）的性能。...

韩国SK海力士4月18日宣布，近期台积电签署了一份谅解备忘录，双方将合作生产下一代HBM，并通过先进的封装技术提高逻辑和HBM的集成度。该公司计划通过这一举措着手开发HBM4，即HBM系列的第六代产品，预计将于2026年开始量产。两...

4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方近期签署了谅解备忘录（MOU）。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。SK...

据消息，韩国存储芯片大厂SK海力士今日宣布，公司将与晶圆代工大厂台积电展开合作，近期双方已签署谅解备忘录（MOU）。双方将携手合作，共同开发生产HBM4，该产品预计在2026年投产，即第六代HBM产品。SK海力士方表示：“公司...

全球第二大存储芯片制造商SK海力士周五表示，已与全球最大的合同芯片制造商台积电签署了一份谅解备忘录，合作生产下一代高带宽内存（HBM）芯片。SK海力士和台积电是AI芯片市场领导者英伟达的主要供应商。目前全球芯片制造商...

4月19日，韩国存储芯片大厂SK海力士宣布，近期已与晶圆代工大厂台积电签署了一份谅解备忘录（MOU），双方将合作生产下一代HBM，并通过先进的封装技术提高逻辑和HBM的集成度。SK海力士计划通过这一举措着手开发将于2026年开始量...