长鑫存储取得晶体管及其形成方法

专利摘要显示，本发明提供一种SRAM存储单元，一6晶体管SRAM结构和一5晶体管的aXNOR结构；PM0、PM1的源极连接存储单元工作电源VDD，PM0、PM1的漏极分别连接NM0、NM1的漏极；PM0的栅极连接NM0的栅极形成第一存储节点QB，PM1的...

浙江创芯集成电路申请半导体结构及其形成方法专利，提升半导体结构的存储密度,专利,晶体管,半导体器件

这种反常规行为使其在振荡器、多值逻辑电路及存储器等领域展现...在前期研究工作中，团队提出并实验验证了一种使用暗场光学显微技术判别二维材料原子层数的通用方法，制备了高峰谷比的石墨烯共振隧穿晶体管，为本研究奠定了基础。...

专利摘要显示，本公开提供了一种晶体管及其制备方法。包括：依次制作缓冲层、沟道层、势垒层、第一介质层、刻蚀阻挡层和第二介质层；在第一刻蚀条件下，采用第一刻蚀气体对第二介质层进行图形化处理；去除对第二介质层进行图形...

金融界2025年5月10日消息，国家知识产权局信息显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司申请一项名为“高电子迁移率晶体管及其制备方法”的专利，公开号CN119947168A，申请日期为2025年2月。专利摘要显示，本申请实施例涉及...

专利摘要显示，本公开提供了一种晶体管及其制备方法。晶体管包括：缓冲层、表面处理层、第一成核层、第二成核层、沟道层和势垒层；表面处理层位于缓冲层表面，第一成核层、第二成核层、沟道层和势垒层依次层叠在表面处理层上，...

专利摘要显示，本申请提供了一种碳化硅晶体管结构及其制备方法，所述方法包括：提供一碳化硅衬底；于所述碳化硅衬底内形成阱区；于所述阱区中形成第一掺杂区；对所述第一掺杂区和所述阱区进行离子注入形成从所述第一掺杂区延伸...

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件浅沟槽隔离结构及其制造方法，该...形成的浅沟槽隔离结构与有源区边缘接触的顶端拐角的形貌不再尖锐，可以有效减小有源区侧边形成的寄生晶体管的漏电，阈值电压的roll‑off曲线显著改善。...

专利摘要显示，本发明提供一种沟槽型超结场效应晶体管及其制备方法，通过外延填充的方法于第一沟槽中形成导电柱，降低了填充形成的导电柱的深宽比，且使得形成的导电柱具有较小的节距尺寸，然后通过多层外延工艺于第二外延层上...

创芯集成电路申请半导体结构及其形成方法专利，进一步提升半导体晶体管开态电流,专利,介质,半导体,晶体管,国产光刻机