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美光颗粒65nm NOR闪存重构物联网响应体系

美光颗粒65nm NOR闪存重构物联网响应体系 在算力需求呈指数级增长的2025年,存储器带宽已成为制约人工智能发展的关键瓶颈。美光科技通过DDR5、LPDDR5X和HBM3E三大产品线的协同创新,正在重构计算设备的性能边界。本文将深入...

上海华力申请 NOR 闪存制造方法专利,能提升 NOR 闪存的性能以及可靠性

金融界2025年5月3日消息,国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“NOR闪存制造方法”的专利,公开号CN119907243A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本发明公开了一种NOR闪存制造方法,先先...

华虹半导体申请 ETOX NOR 型闪存器件的制备方法专利,能够减小控制栅之间深沟槽的深宽比

专利摘要显示,本申请提供一种ETOXNOR型闪存器件的制备方法,在存储区和外围逻辑区上旋涂第一旋涂碳层,以第一旋涂碳层作为外围逻辑区的掩模,通过一次回刻工艺,对存储区控制栅材料层进行第一次减薄;进一步的,在自对准源线...

英飞凌SEMPER™ NOR闪存系列获ASIL-D功能安全认证

英飞凌是全球领先的汽车NOR闪存产品供应商,也是首家推出符合ISO26262功能安全标准开发的NOR闪存产品的制造商。我们非常荣幸SGS-TÜV的专家认可了我们在功能安全方面的成就,并诚邀我们的客户将SEMPER NOR产品应用于他们最严苛...

SPI型NOR闪存市场调研报告-主要企业、市场规模、份额及发展趋势

随着5G技术的广泛应用以及可穿戴设备和TWS耳机等消费电子产品的持续发展,对NOR闪存的需求呈现出强劲增长。SPI型NOR闪存凭借其快速的读取速度、高可靠性和可执行代码等优势,逐渐成为中低容量闪存芯片市场的主力军,广泛应用于...

华虹半导体申请ETOX NOR型闪存器件及其制备方法专利,改善了器件性能

专利摘要显示,本申请提供一种ETOX NOR型闪存器件及其制备方法,其中制备方法中,在控制栅材料层上形成盖帽层,然后形成第一深沟槽和第二深沟槽,并在第一深沟槽和第二深沟槽中填充牺牲氧化层,并平坦化牺牲氧化层,接着刻蚀第...

上海优村申请 NOR 型闪存相关专利,实现直接写功能简化操作流程

金融界 2025 年 4 月 30 日消息,国家知识产权局信息显示,上海优村科技有限公司申请一项名为“NOR 型闪存及其写入控制方法、写入控制系统”的专利,公开号 CN119889392A,申请日期为 2024 年 12 月。专利摘要显示,本公开提供...

重磅!华经产业研究院发布《2025年中国NOR FLASH行业市场深度研究报告》

NOR Flash以编码应用为主,其功能多于运算相关,主要应用场景为各移动端/车机端的系统中,而NAND Flash主要功能是存储资料,多应用于嵌入式系统采用的DOC...NOR Flash属于通用型非易失性存储芯片,是一种基于NOR结构的闪存芯片。...

NOR闪存市场的激烈竞争落幕后,哪些存储芯片原厂赢得了市场领先?

NOR闪存市场的激烈竞争落幕后,哪些存储芯片原厂赢得了市场领先?来源:极客微栋 发表时间:2025/05/19 15:52:17

兆易创新,我们一直在关注你的存储芯片$兆易创新(SH603986)公司的串行NOR闪存的市占率超越旺宏电子,从世界...

兆易创新(SH603986)$兆易创新 的存储芯片业务一直在进步:公司的串行NOR闪存的市占率超越旺宏电子,从世界第三进步到世界第二,仅仅落后于华邦电子;SLC NAND闪存已经形成全品类产品覆盖;当前已经推出DDR3L和DDR4的利基型DRAM...

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