随机存储器大约多少钱

金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，高通股份有限公司申请一项名为“用于多模式双倍数据速率同步动态随机存取存储器的DDRPHY功率崩溃电路”的专利，公开号CN120077440A，申请日期为2023年08月。专利摘要显示，一...

长鑫存储取得字线驱动电路及动态随机存储器相关专利,专利,通信,长鑫存储,压力传感器,技术有限公司,动态随机存储器

拉姆伯斯公司申请具有多个主管芯的堆叠式动态随机存取存储器装置专利，形成第一存储器通道和第二存储器通道的相应的部分,管芯,堆叠式,存储器,dram,拉姆伯斯公司

晋华集成取得动态随机存取存储器装置及其形成方法专利,专利,存储器,计算机,压力传感器,福建省晋华集成电路有限公司

专利摘要显示，本申请公开了一种静态随机存储器、处理电路芯片及电子设备，存储单元阵列排布于衬底的第一侧，多个沟槽沿第三方向由衬底第二侧的表面延伸至衬底中，避免沟槽在第一方向上受沟道的限制，能够释放沟槽在第一方向上...

金融界2025年5月10日消息，国家知识产权局信息显示，合肥睿科微电子有限公司申请一项名为“阻变随机存取存储器的新型器件架构”的专利，公开号CN119949037A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，一种用于存储器件的存取晶体...

金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料股份有限公司申请一项名为“形成无沟槽填充空隙的动态随机存取存储器器件的方法”的专利，公开号CN120052067A，申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本文公开了...

本文源自:金融界 ...专利摘要显示，一种磁性随机存取存储器（MRAM）设备包括：磁性隧道结（MTJ）堆叠；自旋轨道转矩（SOT）层，其位于 MTJ 堆叠下方；以及电介质柱，其位于 SOT 层和 MTJ 堆叠下方。SOT 层具有台阶形轮廓。

为解决传统电荷存储设备速度瓶颈问题，研究人员开发了一种基于Au:HfO2:Au铁电隧道结(FTJ)的等离子体-电子双寻址随机存取存储器(PFTJ-RAM)。该研究利用表面等离子体激元(SPP)实现高速写入，通过隧穿电流读取存储状态，在3-5 nm ...

接着，基于所述可复写式非易失性存储器模块的三维电路架构的多个方向，对每个写入数据执行随机化验证操作，以获取所述多个写入数据中的目标写入数据，其中所述目标写入数据的随机化的质量被判定是合格的。最后，将该目标写入...