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PCIM Asia 九月上海相约:电力电子赋能光储氢融合,共筑零碳能源未来

主题论坛特别设立了碳化硅和氮化镓专场,将深入探讨SiC、GaN器件在逆变器中的应用趋势。...在这个平台上,光储氢产业链相关企业将共同探讨行业未来发展趋势,携手应对挑战,把握机遇,为实现零碳能源未来贡献智慧与力量。...

2025光伏储能展来袭!见证零碳未来的崭新技术!光储|逆变器|变流器|光伏组件|太阳能光伏_网易订阅

关键器件革新:基于第三代半导体(SiC/GaN)的光伏逆变器、储能变流器(PCS)因其超高效率、高功率密度和低损耗特性,将在新能源电站、微电网及电动交通充电领域加速普及。系统集成与新模式:虚拟电厂(VPP)聚合技术、光储充...

新质工业·引领未来」主题峰会圆满收官|智汇万象,擘画未来工业新图景

极致能效系统方案,引领零碳能源新未来 英飞凌 应用及产品管理总监 赵天意 欧洲大停电等严重事故,暴露了能源电力系统...陈伟表示,SiC和GaN器件正逐步成为AI服务器电源的核心部件,该领域宽禁带半导体的需求年复合增长率达18%。...

可实现碳中和的功率半导体

众所周知,采用GaN和SiC器件可显著提高性能,但这些器件在碳排放上的环境影响却鲜有研究。要弥合半导体技术与碳足迹之间的鸿沟,就需要采用多学科方法,涵盖材料、器件、电路和应用的所有方面。图1.宽禁带功率半导体在实现碳...

APSME 2025亚洲功率半导体展:洞察行业风云,预见未来曙光

以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,凭借其高击穿电场、高电子迁移率等特性,在新能源汽车的逆变器、车载充电器等部件中得到广泛...通过提高能源转换效率,降低能源消耗和碳排放,为实现全球可持续发展目标...

动力总成功率半导体解析|IGBT,SiC Mosfet,GaN HEMT半导体工作原理

同时,由于短时间内SiC MOSFET的成本还比IGBT要高出不少,因此行业内有在开发基于Si IGBT和SiC Mosfet的混碳产品,虽然GaN HEMT的大规模应用还需要时间,但是行业内也已经逐步出现基于GaN的车载电源产品出现;本文试图从原理...

CES Asia 2025前瞻:未来能源与电源技术产品,解码可持续发展新路径

氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)功率器件广泛应用于消费电子与新能源领域,某...CES Asia 2025将汇聚全球能源与电源领域的创新力量,推动技术迭代与产业协同,为实现“双碳”目标提供关键支撑,引领人类走向更加可持续的能源未来。

会展动态|TMC2025电驱动系统剧透:高速集成与高效智控重塑未来出行DNA

纳芯微通过双电容增强隔离等关键技术,实现200kV CMTI抗扰性能,集成智能驱动保护与ASIL D功能安全,适配SiC/GaN等器件,并满足UL/VDE增强绝缘...实现原地掉头、紧急避险等智能功能,兼顾高效、节能与安全,赋能未来智能出行。...

2025武汉电子半导体展:解锁“芯”世界,智领科技未来

先进材料/碳材料/金刚石半导体展区则聚焦新材料在半导体领域的应用,展示了碳材料、金刚石等新型半导体材料的研发成果和...第三代半导体展区则展示了以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等为代表的第三代半导体材料的最新技术和产品。...

三菱电机、英飞凌、罗姆邀您参观PCIM Asia,开启零碳能源新征程

主题论坛特别设立了碳化硅和氮化镓专场,将深入探讨SiC、GaN器件在逆变器中的应用趋势。...在这个平台上,光储氢产业链相关企业将共同探讨行业未来发展趋势,携手应对挑战,把握机遇,为实现零碳能源未来贡献智慧与力量。...

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