三星和sk海力士

IT之家5月23日消息，HBM4已成为内存巨头的新竞技场，三星正通过激进投资缩小与SK海力士的差距。科技媒体ZDNetKorea昨日（5月22日）报道称，三星计划在韩国华城和平泽扩大1cDRAM（第六代10nm级）生产，相关投资将在年底前启动。...

人民财讯5月6日电，据市场机构CFM数据统计，在AI服务器需求与PC和移动需求复苏推动下，叠加关税...期间，SK海力士凭借在HBM领域的绝对优势，终结三星长达四十多年的市场统治地位，以36.7%的市场份额首度登顶全球DRAM市场第一。

据韩国媒体报道，三星电子与SK海力士正计划在下一代HBM内存产品中引入混合键合技术。业内消息指出，三星电子有望在2025年发布的HBM4内存中率先采用这一新工艺，而SK海力士则可能将混合键合技术应用于稍后推出的HBM4E。

据EBN报道，三星已经将混合键合技术引入到第六代HBM产品，也就是HBM4，早于竞争对手SK海力士。这不仅显著改善了发热问题，而且还明显...相比之下，三星和 美光 使用的是TC NCF技术，需要高温高压将材料固化再熔化，然后进行清洗。...

随着存储器巨头加速布局HBM4和多层NAND产品，混合键合技术越来越受到关注。根据 ZDNet 的一份报告，韩国三星电子和SK海力士在关键专利方面仍然落后。

IT之家 5 月 23 日消息，HBM4 已成为内存巨头的新竞技场，三星正通过激进投资缩小与 SK 海力士的差距。科技媒体 ZDNet Korea 昨日（5 月 22 日）报道称，三星计划在韩国华城和平泽扩大 1c DRAM（第六代 10nm 级）生产，相关...

每经AI快讯，韩国综合指数涨幅扩大至1%，SK海力士涨超4%，刷新一个半月新高，三星电子涨超1%。韩国综合指数涨幅扩大至1%,SK海力士涨超4% 来源:每日经济新闻 发表时间:2025/05/14 10:41:01

于NAND方面，甚至在包括NAND和DRAM在内的存储方面，SK海力士过去多年，无论是在技术还是市场份额一直以来都落后于韩国竞争对手三星。但据韩媒Businesskorea10月底的报道，得益于在HBM上的成功，SK海力士半导体业务部门的年度...

3月13日消息，受益于去年存储芯片市场需求回暖以及价格上涨，韩国三星电子和SK海力士这两家存储芯片大厂在去年都获利颇丰。特别是在中国市场，受国内的消费补贴刺激政策的推动，三星电子和SK海力士在中国的销售额也实现了大幅...

外界解读，三星有意比竞争对手SK海力士更早一个世代成功量产，以挽回“超级差距”的地位。VCT DRAM是指将內存单元中控制电流流动的晶体管垂直排列的产品。与传统平面方式相比，可以排列更多晶体管，实现更高容量，因此被视为...