sk海力士ceo郭鲁正

SK 海力士 CEO郭鲁正(Kwak Noh-Jung)表示，尽管业界普遍认为16 层 HBM市场将从HBM 发表于 11-05 15:01•682 次阅读 在最近的FMS 2024峰会上，SK 海力士 凭借其创新实力，率先向业界展示 了 尚未正式发布规范的 UFS 4.1 通用 ...

5月20日消息，据外媒报道，本月早些时候，在韩国仁川国际机场，一名金姓男子登机前突然被逮捕，原因是作为SK海力士的前外包员工，他涉嫌试图向中国相关实体泄露HBM内存封装技术。

SK海力士CEO郭鲁正、企业中心总裁宋贤钟、对外合作副总裁金正日、量产副总裁金永植、CR副总裁郑相禄出席了此次会谈。李在明表态，非常需要解决相关产业的迫切需求，比如确保基础设施和税收支持，龙仁半导体产业集群的长期电力...

IT之家5月23日消息，HBM4已成为内存巨头的新竞技场，三星正通过激进投资缩小与SK海力士的差距。科技媒体ZDNetKorea昨日（5月22日）报道称，三星计划在韩国华城和平泽扩大1cDRAM（第六代10nm级）生产，相关投资将在年底前启动。...

近日，SK海力士宣布正在研发基于321层堆叠4D NAND闪存的全新UFS 4.1智能手机存储解决方案，并计划于2026年第一季度推出。该产品将显著提升手机在数据存储方面的性能表现。这款新型存储芯片的厚度仅为0.85毫米，相较此前238层堆...

快科技5月23日消息，SK海力士宣布，正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案，将于2026年第一季度到来，可大大提升智能手机的存储性能。SK海力士称，这种新的存储芯片厚度只有区区0.85毫米，比之前238层堆.

IT之家 5 月 23 日消息，HBM4 已成为内存巨头的新竞技场，三星正通过激进投资缩小与 SK 海力士的差距。科技媒体 ZDNet Korea 昨日（5 月 22 日）报道称，三星计划在韩国华城和平泽扩大 1c DRAM（第六代 10n.

SK海力士重庆公司关务物流部长张明贤表示，“此次空空联程机下直转模式非常成功，为SK海力士重庆公司半导体货物进口提供了更加多元化、高时效、高品质的物流服务，SK海力士重庆公司后续将通过鄂州花湖机场常态化开展半导体运输...

IT之家5月22日消息，SK海力士今日宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（TripleLevelCell）4DNAND闪存的移动端解决方案产品UFS4.1。SK海力士表示：“为了在移动设备上实现端侧（On-device）AI的...

SK 海力士近日宣布了一项重大技术突破，成功研发出搭载全球最高堆叠层数的321层1Tb TLC 4D NAND闪存的移动端解决方案—UFS 4.1。这一创新成果标志着SK 海力士在移动存储技术领域迈出了重要一步。据SK 海力士介绍，为了满足移动...