海力士宣布开发新一代移动端

电子发烧友网综合报道，SK海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Te rabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品...顺应这一趋势，公司此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效...

SK 海力士近日宣布了一项重大技术突破，成功研发出搭载全球最高堆叠层数的321层1Tb TLC 4D NAND闪存的移动端解决方案—UFS 4.1。这一创新成果...随着端侧AI需求的不断增长，终端设备在计算性能与电池效率之间的平衡变得愈发关键。...

快科技5月23日消息，SK海力士宣布，正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案，将于2026年第一季度到来，可大大提升智能手机的存储性能。SK海力士称，这种新的存储芯片厚度只有区区0.85毫米，比之前238层堆.

SK 海力士近日宣布，成功研发出搭载全球最多 321 层 1TB TLC 4D NAND 闪存的移动设备解决方案 UFS 4.1。该公司指出，为保障移动设备上...顺应这一趋势，新开发的产品相比上一代基于 238 层 NAND 的方案，在能效方面提升了 7%。...

SK 海力士成功将HKMG工艺与移动端DRAM结合，为其开发新型超低功耗和超高速LPDDR解决方案铺平了道路。2022年11月，SK海力士发布了全球首款集成HKMG工艺的移动端DRAM—LPDDR5X（Low Power Double Date Rate 5X）。其超低运行电压...

TriQuint半导体公司 推出面向下一代 移动设备的业内首个802.11ac Wi-Fi解决方案。...SK海力士（或‘公司’）今日宣布，公司已开发出具备计算功能的 下一代 内存 半导体技术“PIM（processing-in-memory，内存 中处理）”1）。...

内存制造商 SK 海力士宣布推出全球首款适用于智能手机的 321 层 UFS 4.1 TLC NAND 闪存，它速度更快、效率更高、体积更小，非常适合注重轻薄机身和 AI 工具的下一代手机。与 2022 年推出的上一代产品（采用 238 层设计）相比，...

酷睿Ultra 7 265K缘何成为新一代爆款？...为此我们也选择搭配了阿斯加特女武神·瓦尔基里II代DDR5-8000 32GB黑色套条，使用了海力士A-DIE颗粒，而且在拥有高频低时序的同时拥有精致的RGB灯条设计，更强主板搭配更好内存的组合也...

这也就解释了为什么所有的代工厂都宣布计划在未来几年内各自投入约1000亿美元，以实现3D-IC大规模量产。有许多问题亟待解决，而且其中大多数问题都需要预先解决，并在实际...三星、SK海力士和美光科技是仅有的三家生产HBM的公司。...

存储芯片厂商SK海力士当地时间周四就在官网宣布，他们已经开发出新一代移动端NAND闪存解决方案，将在今年第三季度开始量产并搭载于端侧AI智能手机。从SK海力士在官网公布的消息来看，他们新开发出的用于端侧AI的移动端NAND闪存...