sk海力士针对端侧ai手机

该产品专为端侧AI优化，兼具高性能与低功耗特性，能效较上一代238层产品提升7%，厚度缩减至0.85mm，适配超薄智能手机设计。新品支持4300MB/s的顺序读取速率，...SK海力士表示，此举将巩固其在旗舰智能手机存储市场的技术优势。...

作为 英伟达 最先进图形处理器所需高带宽内存（HBM）产品的主要供应商，韩国的SK海力士已在受益于强劲的HBM出货量，HBM出货强劲得益于市场对数据服务器和AI应用所需高性能计算芯片的需求。该存储芯片制造商周四表示，第一季度...

近日，SK海力士宣布正在研发基于321层堆叠4D NAND闪存的全新UFS 4.1智能手机存储解决方案，并计划于2026年第一季度推出。该产品将显著提升手机在数据存储方面的性能表现。这款新型存储芯片的厚度仅为0.85毫米，相较此前238层堆...

快科技5月23日消息，SK海力士宣布，正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案，将于2026年第一季度到来，可大大提升智能手机的存储性能。SK海力士称，这种新的存储芯片厚度只有区区0.85毫米，比之前238层堆.

IT之家5月22日消息，SK海力士今日宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，...据介绍，随着端侧AI的需求持续增长，终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡日趋关键，超薄设计和低功耗特性已成为移动设备的行业标准。...

具备全球领先的顺序读取性能与低功耗特性，专为端侧AI进行优化 产品厚度减薄15%，适用于超薄旗舰智能手机“凭借全球最高321层的产品组合，公司将在NAND...2025年5月22日，SK海力士宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太...

电子发烧友网综合报道，SK海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品...该产品具备全球领先的顺序读取性能与低功耗特性，专为端侧AI进行优化；...

据SK 海力士介绍，为了满足移动设备端侧AI稳定运行的需求，此次推出的NAND闪存解决方案不仅具备卓越的性能，还实现了低功耗。通过这款专为AI工作负载优化的UFS 4.1产品，SK 海力士旨在进一步强化其在旗舰智能手机市场的技术...

SK海力士预计，针对AI工作负载优化的UFS 4.1产品将有助于增强其在旗舰智能手机市场的内存领导地位。其提供了4300MB/s的数据传输速度，同时通过提高随机读写速度来提供一流的性能，相比于之前的第四代UFS产品分别降低了15%和40%...

SK海力士近日宣布，成功研发出搭载全球最多321层1TBTLC4DNAND闪存的移动设备解决方案UFS4.1。该公司指出，为保障移动设备上本地AI（On-deviceAI）应用的稳定运行，所需的NAND闪存产品必须具备高性能与低功耗双重优势。