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三星HBM3E芯片遇阻英伟达验证关口,2026年战略或迎重大转向

长江有色金属网(ccmn.cn)金属资讯频道权威发布三星HBM3E芯片遇阻英伟达验证关口,2026年战略或迎重大转向

消息称三星12层HBM3E基本通过英伟达“单芯片认证”

三星电子12层HBM3E产品通过英伟达单芯片认证,但完成品认证仍在进行。尽管通过质量测试可能性提高,但短期内难以获得显著收益,因为SK海力士已锁定大部分订单。英伟达可能考虑三星电子以实现供应商多元化,但大规模订单分配仍...

三星目标今年7~8月通过英伟达HBM3E验证

本文源自:金融界AI电报三星目标在2025年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。此前,三星传针对HBM3E使用的第四代10纳米.

三星HBM3E基本通过英伟达单芯片认证 成品认证或延迟到下半年完成

据格隆汇5月26日消息,Deal Site称三星12层HBM3E产品基本通过英伟达DRAM单芯片认证,现处于成品认证程序。三星原本计划6-7月完成认证,但出现延迟,实际结果可能要到2025年下半年才能知晓。

甘冒库存风险:消息称三星今年一季度已启动 HBM3E 12Hi 内存量产

IT之家5月6日消息,韩媒ZDNetKorea当地时间2日报道称,三星电子已在今年2月左右启动了HBM3E12Hi内存的全面量产。三星电子目前尚未通过英伟达的HBM3E12Hi(IT之家注:12层堆叠,单堆栈36GB容量)供应资格测试,可以说 该决策...

HBM3E 内存竞赛升温:三星 4 月出击,美光已领先一步_Sedaily

4 月 10 日消息,韩媒 Sedaily 于 4 月 8 日发布博文,报道称在美国新关税政策的不确定性下,存储巨头们并未放缓脚步,反而加速角逐 HBM3E 市场。援引博文报道,三星调整了 HBM3E 产品设计,计划今年 4 月向英伟达大规模供应 8...

美光:12Hi HBM3E良率在第三季度末达到稳定水平 其出货量将最早于8月超过8Hi HBM3E

美光预计,12Hi HBM3E良率在第三季度末达到稳定水平,其出货量将最早于8月超过8Hi HBM3E。

三星提前量产HBM3E 12Hi内存,库存风险与市场挑战并存

5月6日,韩媒ZDNetKorea报道称,三星电子已在今年2月启动了HBM3E 12Hi内存的全面量产。这款内存采用了12层堆叠设计,单堆栈容量高达36GB,旨在满足日益增长的高性能计算需求。尽管这一消息引发了行业的广泛关注,但三星尚未...

三星量产HBM3E内存

据韩国媒体报道,当地时间2日有消息指出,三星电子已在今年2月左右开始对HBM3E 12Hi内存进行大规模量产。目前,三星尚未完成 英伟达 对该款内存的认证流程。由于该产品尚未获得主要客户的供应许可,提前量产在一定程度上存在...

三星提前量产HBM3E 12Hi内存,库存风险与供应目标并存?

近日,据韩国媒体ZDNet Korea报道,三星电子在今年2月份已经全面启动了其最新的HBM3E 12Hi内存的量产工作。然而,值得注意的是,尽管生产已经如火如荼地进行,但三星电子目前还未通过其主要潜在客户英伟达的相关供应资格测试,...

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