sk海力士尝鲜

近日，SK海力士宣布正在研发基于321层堆叠4D NAND闪存的全新UFS 4.1智能手机存储解决方案，并计划于2026年第一季度推出。该产品将显著提升手机在数据存储方面的性能表现。这款新型存储芯片的厚度仅为0.85毫米，相较此前238层堆...

快科技5月23日消息，SK海力士宣布，正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案，将于2026年第一季度到来，可大大提升智能手机的存储性能。SK海力士称，这种新的存储芯片厚度只有区区0.85毫米，比之前238层堆.

IT之家5月23日消息，HBM4已成为内存巨头的新竞技场，三星正通过激进投资缩小与SK海力士的差距。科技媒体ZDNetKorea昨日（5月22日）报道称，三星计划在韩国华城和平泽扩大1cDRAM（第六代10nm级）生产，相关投资将在年底前启动。...

IT之家5月22日消息，SK海力士今日宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（TripleLevelCell）4DNAND闪存的移动端解决方案产品UFS4.1。SK海力士表示：“为了在移动设备上实现端侧（On-device）AI的...

IT之家 5 月 23 日消息，HBM4 已成为内存巨头的新竞技场，三星正通过激进投资缩小与 SK 海力士的差距。科技媒体 ZDNet Korea 昨日（5 月 22 日）报道称，三星计划在韩国华城和平泽扩大 1c DRAM（第六代 10n.

电子发烧友网综合报道，SK海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。该产品具备全球领先的顺序读取性能与低功耗特性，专为端侧AI...

SK海力士重庆公司关务物流部长张明贤表示，“此次空空联程机下直转模式非常成功，为SK海力士重庆公司半导体货物进口提供了更加多元化、高时效、高品质的物流服务，SK海力士重庆公司后续将通过鄂州花湖机场常态化开展半导体运输...

SK 海力士近日宣布了一项重大技术突破，成功研发出搭载全球最高堆叠层数的321层1Tb TLC 4D NAND闪存的移动端解决方案—UFS 4.1。这一创新成果标志着SK 海力士在移动存储技术领域迈出了重要一步。据SK 海力士介绍，为了满足移动...

SK海力士近日宣布，成功研发出搭载全球最多321层1TBTLC4DNAND闪存的移动设备解决方案UFS4.1。该公司指出，为保障移动设备上本地AI（On-deviceAI）应用的稳定运行，所需的NAND闪存产品必须具备高性能与低功耗双重优势。

中文科技资讯精选摘要:SK海力士今日宣布成功开发出搭载全球最高321层1Tb TLC 4D NAND闪存的UFS 4.1移动端解决方案。