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韩国总统候选人访问SK海力士

SK海力士CEO郭鲁正、企业中心总裁宋贤钟、对外合作副总裁金正日、量产副总裁金永植、CR副总裁郑相禄出席了此次会谈。李在明表态,非常需要解决相关产业的迫切需求,比如确保基础设施和税收支持,龙仁半导体产业集群的长期电力...

三星激进投资 HBM4,押注 1c DRAM 挑战 SK 海力士霸主地位

IT之家5月23日消息,HBM4已成为内存巨头的新竞技场,三星正通过激进投资缩小与SK海力士的差距。...集邦咨询TrendForce预测,受强劲需求推动,2026年HBM总出货量将突破300亿吉比特,HBM4将在2026年下半年超越HBM3e,成为市场主流...

SK海力士推321层4D NAND UFS 4.0手机存储

近日,SK海力士宣布正在研发基于321层堆叠4D NAND闪存的全新UFS 4.1智能手机存储解决方案,并计划于2026年第一季度推出。该产品将显著提升手机在数据存储方面的性能表现。这款新型存储芯片的厚度仅为0.85毫米,相较此前238层堆...

手机存储飞跃!SK海力士拿出321层4D闪存的UFS 4.1

快科技5月23日消息,SK海力士宣布,正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案,将于2026年第一季度到来,可大大提升智能手机的存储性能。SK海力士称,这种新的存储芯片厚度只有区区0.85毫米,比之前238层堆.

三星激进投资 HBM4,押注 1c DRAM 挑战 SK 海力士霸主地位

IT之家 5 月 23 日消息,HBM4 已成为内存巨头的新竞技场,三星正通过激进投资缩小与 SK 海力士的差距。...集邦咨询 TrendForce 预测,受强劲需求推动,2026 年 HBM 总出货量将突破 300 亿吉比特,HBM4 将在 2026 年下半年超越 HBM...

SK海力士UFS 4.1来了,基于321层1Tb TLC 4D NAND闪存

SK 海力士 CEO郭鲁正(Kwak Noh-Jung)表示,尽管业界普遍认为16 层 HBM市场将从HBM 发表于 11-05 15:01•682 次阅读 在最近的FMS 2024峰会上,SK 海力士 凭借其创新实力,率先向业界展示 了 尚未正式发布规范的 UFS 4.1 通用 ...

鄂州花湖机场首单半导体“空空中转”40分钟极速通关助力SK海力士全球供应链

SK海力士重庆公司关务物流部长张明贤表示,“此次空空联程机下直转模式非常成功,为SK海力士重庆公司半导体货物进口提供了更加多元化、高时效、高品质的物流服务,SK海力士重庆公司后续将通过鄂州花湖机场常态化开展半导体运输...

SK 海力士成功开发基于 321 层 NAND 闪存的UFS 4.1解决方案产品

IT之家5月22日消息,SK海力士今日宣布,公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb(太比特,Terabit)TLC(TripleLevelCell)4DNAND闪存的移动端解决方案产品UFS4.1。SK海力士表示:“为了在移动设备上实现端侧(On-device)AI的...

SK海力士突破!321层NAND闪存UFS 4.1移动端解决方案亮相

SK 海力士近日宣布了一项重大技术突破,成功研发出搭载全球最高堆叠层数的321层1Tb TLC 4D NAND闪存的移动端解决方案—UFS 4.1。这一创新成果标志着SK 海力士在移动存储技术领域迈出了重要一步。据SK 海力士介绍,为了满足移动...

韩国SK海力士员工包机来“探亲”啦!

韩国SK海力士员工包机来“探亲”啦!海力士,韩国,半导体公司,三星,sk,无锡

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