东微半导申请半导体专利

金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“在半导体衬底材料表面形成氧化铝钝化膜的方法、PERC电池及其制备方法”的专利，公开号CN120035247A，申请日期为2023年11月。...

金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，苏州东微半导体股份有限公司取得一项名为“IGBT器件的制造方法”的专利，授权公告号CN119230398B，申请日期为2024年09月。天眼查资料显示，苏州东微半导体股份有限公司，...

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示东微半导（688261）新获得一项发明专利授权，专利名为“IGBT器件的制造方法”，专利申请号为CN202411371340.5，授权...专利摘要：本发明属于IGBT器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件的制造...

中国国际金融股份有限公司（以下简称“中金公司”或“保荐机构”）作为苏州 东微半导 体股份有限公司（以下简称“东微半导”或“公司”）首次公开发行股票...刘磊先生在职期间参与研究并申请的专利等知识产权均为职务成果，截至本...

苏州 东微半导 体股份有限公司（以下简称“公司”）核心技术人员刘磊先生因个人职业发展原因向公司申请辞去核心技术人员职务，辞职后将不再担任公司任何职务。公司与刘磊先生签有《劳动合同》及《保密、竞业禁止及知识产权归属...

金融界2025年4月26日消息，国家知识产权局信息显示，东芯半导体股份有限公司申请一项名为“写操作时序逻辑电路及存储器”的专利，公开号CN119864058A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本发明提供一种写操作时序逻辑电路...

金融界2025年5月3日消息，国家知识产权局信息显示，浙江东开半导体科技有限公司申请一项名为“一种气动风阀及装置”的专利，公开号CN119900829A，申请日期为2025年3月。专利摘要显示，本申请公开了一种气动风阀及装置，涉及...

金融界2025年5月3日消息，国家知识产权局信息显示，东芯半导体股份有限公司申请一项名为“一种用于非易失性存储器的写入功耗降低的方法”的专利，公开号CN119905128A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本发明提供一种用于...

东芯半导体申请反熔丝存储阵列专利，提供存储阵列,阵列,熔丝,半导体,存储器,新专利

苏州东微半导体股份有限公司（以下简称“公司”）核心技术人员刘磊先生因个人职业发展原因向公司申请辞去核心技术人员职务，辞职后将不再担任公司任何职务。公司与刘磊先生签有《劳动合同》及《保密、竞业禁止及知识产权归属...