东微半导申请半导体功率器件专利

金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆及半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN120035180A，申请日期为2025年03月。...

东微电子申请采用钌金属作为顶电极的RRAM器件专利，降低低阻态-高阻态的转换功率,专利,金属,原子,半导体,东微电子,rram器件

金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“功率器件及其制备方法、半导体器件、存储器、电子设备”的专利，公开号CN120035188A，申请日期为2025年02月。专利摘要显示，本公开...

金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，杭州宏晟微电子有限公司取得一项名为“一种功率半导体器件及其制造方法”的专利，授权公告号CN112928167B，申请日期为2021年04月。天眼查资料显示，杭州宏晟微电子有限公司...

长飞先进半导体申请半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆专利，提升了单片集成的碳化硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管和碳化硅互补金属氧化物半导.,武汉,金属,碳化硅,石墨烯,半导体器件,场效应晶体管

杰平方半导体申请一种碳化硅功率器件的制备方法专利，降低了其在后续工艺中出现破片、裂片的概率,专利,离子,碳化硅,半导体,先进水平

金融界2025年5月19日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆”的专利，公开号CN120018554A，申请日期为2025年2月。专利摘要显示，本...

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。...本申请能够在不影响栅源电容的情况下有效降低半导体功率器件的栅漏电容，以兼顾实现转换速度的有效提高以及降低器件通态的功率损耗，从而有效提高半导体功率器件的工作...

上海积塔半导体申请半导体结构及其制造方法专利，有效提升半导体功率器件的耐压性能,专利,栅极,沟槽,外延层,功率器件,积塔半导体,半导体器件

华虹半导体申请功率器件的背面工艺异常返工方法专利，改善衬底回刻蚀后的衬底背面表观不良的问题,专利,离子,金属,功率器件,华虹半导体,半导体材料