三星取得半导体器件专利

金融界2025年5月19日消息，国家知识产权局信息显示，杭州积海半导体有限公司取得一项名为“一种基于SOI工艺的ESD保护器件及半导体器件”的专利，授权公告号CN222885085U，申请日期为2024年08月。专利摘要显示，本实用新型提供...

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件，包括：基底结构；源极结构，位于基底结构的一侧；漏极结构，与源极结构堆叠设置；栅极结构，位于源极结构与漏极结构之间，栅极结构包括多个栅极部；隔离结构，位于相邻的栅极部之间...

专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体器件的封装结构、计算设备，其中，所述半导体器件的封装结构，包括：基板，包括位于基板上的至少一个芯片；封装加强件，位于基板上；封装加强件的顶面结构包括凸出部，凸出部的凸出...

金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，无锡华润上华科技有限公司取得一项名为“半导体器件”的专利，授权公告号CN118693144B，申请日期为2023年3月。天眼查资料显示，无锡华润上华科技有限公司，成立于2002年，...

金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司取得一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆”的专利，授权公告号CN119486212B，申请日期为2025年1月。天眼查资料...

专利摘要显示，本申请公开了一种沟槽隔离结构及半导体器件，涉及半导体技术领域，本申请的沟槽隔离结构，包括基体，基体上至少包括第一凹槽和第二凹槽，其中第一凹槽的深度大于第二凹槽的深度，第一凹槽的槽底设置第一隔离体，...

金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“反向阻断功率半导体器件和处理反向阻断功率半导体器件的方法”的专利，授权公告号CN111816695B，申请日期为2020年4月。本文源自：金融...

金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，授权公告号CN119497413B，申请日期为2025年1月。天眼查 资料显示，粤芯半导体技术股份有限公司...

芯联集成电路取得超结半导体器件专利,专利,计算机,半导体器件 金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司取得一项名为“超结半导体器件”的专利，授权公告号CN119364831B，申请日期为...

华虹宏力取得半导体器件及其制造方法专利,专利,华虹宏力,半导体器件,半导体材料