三星取得半导体存储器件专利

金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件的操作方法以及半导体器件与存储系统”的专利，公开号CN120032693A，申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本申请提供一...

金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体器件及其制备方法、封装件及其制备方法”的专利，授权公告号CN111244054B，申请日期为2018年11月。天眼查资料显示，长鑫存储技术...

专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体存储器件及其制作方法，涉及半导体领域，该半导体存储器件包括：衬底、多个堆叠结构、字线、位线和第一隔离层。多个堆叠结构位于衬底上，并在垂直方向上彼此隔离，多个堆叠结构包括...

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决如何改善晶圆切割过程产生的机械应力导致半导体器件产生缺口或者裂纹等缺陷的问题。本公开实施例提供一种半导体器件，包括...

专利摘要显示，本实用新型公开了一种半导体元器件供料输送机构，涉及半导体元器件技术领域，包括控制箱、底架、托盘和传送装置，所述传送装置设置在所述底架的内部，所述底架...保证叠放的托盘整齐而不倾倒，方便后续转运和储存。...

长江存储取得半导体器件相关制作方法等专利,专利,半导体,存储器,计算机,长江存储

金融界2025年5月9日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“电容器的形成方法及半导体器件”的专利，授权公告号CN115996561B，申请日期为2021年10月。天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于...

金融界2025年5月6日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体(鲁塞)公司取得一项名为“包括具有反熔丝器件的至少一个存储器单元的集成电路”的专利，授权公告号CN110875322B，申请日期为2019年8月。本文源自：金融界

金融界2025年4月28日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件、存储系统以及半导体器件抗干扰的方法”的专利，公开号CN119889386A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本申请实施...

金融界2025年5月9日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件、存储系统及半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN119947083A，申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本公开提供了一种...